onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale N, 4,5 mΩ, 128 A, TO-220, Su foro
onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale N, 4,5 mΩ, 128 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Tensione diretta del diodo: 1.3V, MPN: FDP4D5N10C
onsemi MOSFET, FDP4D5N10C, N-Canal-Canal, 128 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 Simple
onsemi MOSFET, N-Canal-Canal, 128 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 4.5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 150 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Tensión de diodo directa: 1.3V, MPN: FDP4D5N10C