onsemi IGBT, VCE 650 V, IC 100 A, TO-247
onsemi IGBT, VCE 650 V, IC 100 A, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 268 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 15.87 x 4.82 x 20.82mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: FGHL50T65SQ
RS Component IT
EUR 5.29
onsemi IGBT, FGHL50T65SQ, 100 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 1 Simple
onsemi IGBT, 100 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 1 Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 268 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 15.87 x 4.82 x 20.82mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, MPN: FGHL50T65SQ
RS Component ES
EUR 5.29