Semelab MOSFET, canale N, 2 A, SOIC, Montaggio superficiale
Semelab MOSFET, canale N, 2 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 17,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 4.06mm, Massima temperatura operativa: +200 °C, MPN: D2219UK
RS Component IT
EUR 31.42
Semelab MOSFET, D2219UK, N-Canal-Canal, 2 A, 40 V, 8-Pin, SOIC TetraFET Simple Si
Semelab MOSFET, N-Canal-Canal, 2 A, 40 V, 8-Pin, SOIC TetraFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 17,5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 4.06mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +200 °C, MPN: D2219UK
RS Component ES
EUR 31.42